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电子束光刻机ZEL304G采用场发射电子枪，配合一体化的高速图形发生系统实现对半导体晶圆的高速、高分辨光刻。该系统标配高精度激光干涉样品台，允许用户实现大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半导体、微电 子、光子、量子研究领域发挥重要作用。
激光干涉样品台
先进的激光干涉样品台，满足大行程高精度拼接和套刻需求
场发射电子枪
高分辨场发射电子枪是光刻质量的重要保证
图形发生器
一体化的高速图形发生系统，允许用户快速、 便捷地刻蚀复杂图案
| 技术参数 | 说明 |
| 样品台指标 | |
| 标配 | 激光干涉样品台 |
| 样品台行程 | ≥105 mm |
| 拼接精度 | 优于50nm(平均值+1σ) |
| 套刻精度 | 优于50nm(平均值+1σ) |
| 电子枪及成像指标 | |
| 肖特基场发射电子枪 | 加速电压20V~30kV;旁侧二次电子探测器和镜筒内电子探测器 |
| 图像分辨率 | ≤1 nm @ 15 kV; ≤1.5 nm @ 1 kV |
| 束流密度 | ＞7000A/cm2:电子束流≥100nA |
| 最小束斑尺寸 | ≤2nm |
| 光刻指标 | |
| 电子束闸 | 上升沿<100ns |
| 写视场 | ≥500x500 um |
| 最小单次曝光线宽 | <15nm(同时取决于工艺条件) |
| 扫描速度 | ≥20MHz |
